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全球首颗!我国科学家成功研发全新架构闪存芯片

时间:2025-10-12 22:23:24 来源:再衰三竭网 作者:知识 阅读:645次

  每经编辑|黄胜    

  继今年4月在《自然》提出“破晓”二维闪存原型器件后,全球全新复旦大学科研团队又迎来新突破。首颗闪存

  据复旦大学公众号消息,国科北京时间10月8日晚,学家芯片复旦大学在《自然》(Nature)上发文,成功题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”),架构相关成果率先实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片,全球全新攻克新型二维信息器件工程化关键难题。首颗闪存

图片来源:复旦大学公众号截图图片来源:复旦大学公众号截图

  面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战,具有原子级厚度的学家芯片二维半导体是目前国际公认的破局关键,科学家们一直在探索如何将二维半导体材料应用于集成电路中。成功当前,架构国际上对二维半导体的全球全新研究仍在起步阶段,尚未实现大规模应用。首颗闪存

  大数据与人工智能时代对数据存取性能提出了极致要求,国科而传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的“卡脖子”问题之一。今年4月,周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓”二维闪存原型器件,实现了400皮秒超高速非易失存储,是迄今最快的半导体电荷存储技术,为打破算力发展困境提供了底层原理。

  “从目前技术来看,存储器是二维电子器件最有可能首个产业化的器件类型。因为它对材料质量和工艺制造没有提出更高要求,而且能够达到的性能指标远超现在的产业化技术,可能会产生一些颠覆性的应用场景。”在存储器领域深耕多年的周鹏认为。

  每日经济新闻综合复旦大学公众号

  封面图片来源:每日经济新闻

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